RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2772
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link