RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3538
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link