RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
186
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
186
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
3.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
536
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link