RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3595
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link