RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3783
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link