RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3443
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link