RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3886
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link