RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3437
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link