RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3437
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link