RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3126
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link