RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2523
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link