RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
72
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1728
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link