RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2683
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link