RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3636
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link