RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3061
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link