RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3672
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link