RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3504
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link