RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3724
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link