RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
49
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3550
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link