RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3544
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link