RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3697
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link