RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
49
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
4250
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link