RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3809
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link