RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3431
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link