RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2429
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link