RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3377
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link