RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2124
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link