RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3332
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link