RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
119
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
1.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
119
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
1.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
447
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link