RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3393
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link