RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3112
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link