RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3112
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link