RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3778
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link