RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2732
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link