RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
81
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
81
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1651
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link