RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3435
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link