RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2314
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link