RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3014
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link