RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3076
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link