RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3076
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link