RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3372
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link