RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Wynik ogólny
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
67
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,928.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
67
Prędkość odczytu, GB/s
6,927.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,928.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
948
2027
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link