RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,001.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,776.5
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
669
2501
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link