RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2528
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link