RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3671
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link