RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2722
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link