RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
80
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
80
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1564
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link