RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
62
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3437
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link