RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3061
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681PAE-16IC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link