RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2588
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link