RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
25.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
62
Wokół strony -343% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
14
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
4182
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link