RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2090
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link