RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2327
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link